LPDDR5

• 高性能，大容量：4GB-16GB多种容量选择，采用WCK信号设计从而提高数据传输效率，速率高达6400Mbps；

• 低功耗，强稳定性：电压低至0.5V。

• LPDDR5X采用了更先进的电源管理技术，如写入休眠模式和自适应电压调节，能更精细地控制功能，优化系统性能提高设备稳定性。

• 支持多Bank Group模式。

• E-DVFSC电源管理和Auto TCSR技术结合

容量	4GB-16GB
速率	6400Mbps
工作电压	VDD1:1.8V | VDD2H:1.05V | VDD2L:0.9V | VDDQ:0.5V
工作温度	-25℃-85℃
产品尺寸	12.4x15x1.0 mm
封装	FBGA315

LPDDR4X

• 高速传输，低功耗：采用双数据速率架构，速率高达4266Mbps，加快多任务处理速度进而优化用户体验；电压低至0.6V，可有效延长设备使用时长

• 数据访问和使用更高效：通过可编程和动态突发长度以此更有效地管理数据访问，提高内存使用效率，进而优化设备的性能

容量	1GB-8GB
速率	3200Mbps-4266Mbps
工作电压	VDD1:1.8V VDD2:1.1V VDDQ:1.1V or 0.6V
工作温度	-25℃-85℃
产品尺寸	10x15x1.0mm
封装	BGA 200

EMMC

• 高集成度，小巧轻薄：eMMC产品高度集成化让数据传输更为高效，体积小，减少了PCB空间占用，降低了管理NAND Flash芯片的时间；

• 大容量，高性能，低功耗：提供8GB-256GB容量选择，读速可达320MB/s，应用程序启动和数据传输更为高效，更低功耗设计可延长设备续航时长；

• 高可靠性和安全性：支持断电保护、ECC纠错功能和内建坏块检测机制，以确保数据的安全性和完整性；

• 更优的寿命管理及性能优化：支持动/静态磨损均衡算法，智能优化数据分布，以此达到更好的寿命管理和性能优化。

接口	eMMC 5.1
容量	8GB-256GB
速率	320MB/s，250MB/s
工作电压	VCC:3.3V | VCCQ:1.8V
工作温度	-25℃-85℃
产品尺寸	11.5x13x1.0mm
封装	FBGA153

UFS

• 高效传输，兼容性强：与eMMC相比，UFS支持多通道数据传输和并发操作，读速高达4100MB/s，大大提升了设备的响应速度；可向下兼容及多类型设备兼容

• 大容量，低功耗：64GB-1TB多容量挑选，电压低至1.2V，更低功耗设计可延长设备续航时长

• 高可靠性和安全性：支持断电保护、ECC纠错功能和内建坏块检测机制，以确保数据的有效性和完整性

• 先进的闪存管理：采用命令调度、队列管理等技术，优化了数据访问和存储管理效率

协议标准	UFS 2.2	UFS 3.1	UFS 4.0
容量	64GB-512GB	128GB-1TB	256GB-1TB
读写速度	1000MB/s，900MB/s	2000MB/s，1600MB/s	4100MB/s，3500MB/s
工作电压	VCC:3.3V | VCCQ:1.8V	VCC:2.5V | VCCQ:1.2V	VCC:2.5V | VCCQ:1.2V
工作温度	-25℃-85℃
产品尺寸	11.5x13x1.0mm
封装	FBGA153

eMCP

• 高效传输，紧凑小巧：eMCP产品高度集成化让数据传输更为高效，读速可达300MB/s，同时具备体积小等特点，可广泛应用于对空间有严格要求的的设备中，如：智能穿戴、智能家居、平板电脑、机顶盒和物联网（IoT）设备等；

• 高可靠性和安全性：支持断电保护、ECC纠错功能和内建坏块检测机制，以确保数据的有效性和完整性；

• 更优的寿命管理及性能优化：支持动/静态磨损均衡算法，智能优化数据分布，以此优化产品性能，从而延长使用寿命；

• 干扰性能降低，运行更流畅：eMMC与LPDDR之间采用隔离设计，两者信号传输互不干扰，同时还能各自发挥最佳性能，确保数据的完整性和准确性，在处理复杂任务时更高效、稳定。

协议标准	eMMC	LPDDR3
容量	8GB-64GB	4Gb-32Gb
速率	顺序读取速度：300MB/s，顺序写入速度：210MB/s	传输速率：1866Mbps
工作电压	VCC：3.3V | VCCQ：1.8V	VDD1：1.8V | VDD2：1.2V | VDDQ：1.2V
工作温度	-25℃-85℃
产品尺寸	11.5x13x1.0mm
封装	BGA221/254